光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。