三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

CMP的設備構成包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉移？（）

光刻工藝的特點包括（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。