A、內縮量
B、總應變
C、錨頭損失
D、效率系數(shù)
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A、試驗應力為0.75倍預應力筋抗拉強度
B、測量的是工具錨下應力與喇叭形墊板收口處的應力差異
C、摩阻損失包括錨具內的損失和墊板中的損失
D、實驗結果為3組平行實驗的平均值
A、內縮量測量分為直接測量方式和間接測量方式
B、試驗應力為0.8倍預應力筋抗拉強度
C、可以通過測量預應力筋錨固過程中的應力變化得到
D、靜載實驗用的裝置一般不合適用于內縮量試驗
A、總應變測量若采用量具標距的方式,標距長度不應小于1m
B、若采用測量加荷端油缸的位移方式,應該考慮實驗儀器的彈性應變
C、若采用測量加荷端油缸的位移方式,總長度應為兩個夾片起夾點之間的距離
D、若采用測量加荷端油缸的位移方式,應該考慮固定端的內縮值
A.高分子防水卷材
B.無膜雙面自粘
C.聚酯膜
D.瀝青基聚酯胎防水卷材
A.1.2mm
B.3.0mm
C.2.0mm
D.4.0mm
最新試題
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
改良西門子法的顯著特點不包括()
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
硅片拋光在原理上不可分為()