A.最大拉力單位為N/50mm，對應(yīng)的延伸率用百分比表示
B.分別記錄每個方向5個試件的拉力值和延伸率，計(jì)算平均值
C.拉力的平均值修約到5N，延伸率修約到1%
D.拉力的平均值修約到1N，延伸率修約到0.1%
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A.JF1
B.JL1
C.FF
D.FS2
A.3mm、4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為50mm
B.3mm、4mm厚度卷材彎曲直徑為30mm，5mm厚度卷材彎曲直徑為50mm
C.3mm厚度卷材彎曲直徑為30mm，4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為50mm
D.3mm、4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為30mm
A、拉伸試樣尺寸為200mm×25mm
B、夾持距離為120mm
C、拉伸速率為（100±10）mm/min
D、拉伸速率為（250±50）mm/min
A、20mm
B、30mm
C、40mm
D、50mm
A、對于整個試驗(yàn)應(yīng)準(zhǔn)備五個試件
B、在試樣上距邊緣100mm以上任意裁取
C、正方形試件尺寸為（100±1）mm×（100±1）mm
D、試件在試驗(yàn)前至少在（23±2）℃和相對濕度30%~70%的條件下放置20h
最新試題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
硅片拋光在原理上不可分為（）
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
可用作硅片的研磨材料是（）
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
下列是晶體的是（）。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。