A.JF1
B.JL1
C.FF
D.FS2
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A.3mm、4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為50mm
B.3mm、4mm厚度卷材彎曲直徑為30mm，5mm厚度卷材彎曲直徑為50mm
C.3mm厚度卷材彎曲直徑為30mm，4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為50mm
D.3mm、4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為30mm
A、拉伸試樣尺寸為200mm×25mm
B、夾持距離為120mm
C、拉伸速率為（100±10）mm/min
D、拉伸速率為（250±50）mm/min
A、20mm
B、30mm
C、40mm
D、50mm
A、對于整個(gè)試驗(yàn)應(yīng)準(zhǔn)備五個(gè)試件
B、在試樣上距邊緣100mm以上任意裁取
C、正方形試件尺寸為（100±1）mm×（100±1）mm
D、試件在試驗(yàn)前至少在（23±2）℃和相對濕度30%~70%的條件下放置20h
A、（100±1）mm×（100±1）mm
B、（100±2）mm×（100±2）mm
C、（50±2）mm×（50±2）mm
D、（50±1）mm×（50±1）mm
最新試題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
下列是晶體的是（）。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。