A、拉伸試樣尺寸為200mm×25mm
B、夾持距離為120mm
C、拉伸速率為(100±10)mm/min
D、拉伸速率為(250±50)mm/min
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、20mm
B、30mm
C、40mm
D、50mm
A、對(duì)于整個(gè)試驗(yàn)應(yīng)準(zhǔn)備五個(gè)試件
B、在試樣上距邊緣100mm以上任意裁取
C、正方形試件尺寸為(100±1)mm×(100±1)mm
D、試件在試驗(yàn)前至少在(23±2)℃和相對(duì)濕度30%~70%的條件下放置20h
A、(100±1)mm×(100±1)mm
B、(100±2)mm×(100±2)mm
C、(50±2)mm×(50±2)mm
D、(50±1)mm×(50±1)mm
A、距邊緣100mm以上
B、距邊緣20mm以上
C、距邊緣50mm以上
D、距邊緣80mm以上
A、取中值作為結(jié)果
B、取最小值作為結(jié)果
C、取最大值作為結(jié)果
D、取平均值作為結(jié)果
最新試題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
可用作硅片的研磨材料是()
硅片拋光在原理上不可分為()