A、<C30強(qiáng)度等級的砼卸荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級的砼卸荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級的砼卸荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、A、B、C選項都對
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、<C30強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、A、B、C選項都對
A、基準(zhǔn)應(yīng)力為3.3MPa,控制應(yīng)力為11.0MPa
B、基準(zhǔn)應(yīng)力為3.3MPa,控制應(yīng)力為33.0MPa
C、基準(zhǔn)應(yīng)力為0.5MPa,控制應(yīng)力為11.0MPa
D、基準(zhǔn)應(yīng)力為0.5MPa,基準(zhǔn)應(yīng)力為33.0MPa
A、變形測量儀應(yīng)安裝于試件一側(cè)
B、變形測量儀應(yīng)安裝在垂直于試件承壓面的4條棱上
C、變形測量儀應(yīng)安裝于試件兩側(cè)的中線上并對稱于試件的兩端
D、變形測量儀應(yīng)安裝于試件兩個承壓面上,承壓面應(yīng)預(yù)先開好安裝槽
A、每次試驗應(yīng)制備6個試件
B、每次試驗的6個試件,3個用于進(jìn)行軸心抗壓強(qiáng)度試驗,另3個用于測定彈性模量
C、每次試驗的6個試件都是用于測定彈性模量,因為標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定靜力受壓彈性模量試驗是6個試件為一組
D、每次試驗的6個試件,1個用于進(jìn)行軸心抗壓強(qiáng)度試驗,另5個用于測定彈性模量
A、小于C60強(qiáng)度等級的100×100×300mm棱柱體試件為1.05
B、小于C60強(qiáng)度等級的100×100×300mm棱柱體試件為0.95
C、小于C60強(qiáng)度等級的200×200×400mm棱柱體試件為0.95
D、小于C60強(qiáng)度等級的200×200×400mm棱柱體試件為1.05
最新試題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
改良西門子法的顯著特點不包括()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
可用作硅片的研磨材料是()