A、39.0MPa
B、18.2MPa
C、10.2MPa
D、10.8MPa
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A、同組3個(gè)試件測(cè)值中，最大值和最小值與中間值的差值均超過(guò)中間值的15%時(shí)，該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效。
B、不總是能把同組3個(gè)試件測(cè)值的平均值作為該組試件的抗壓強(qiáng)度值。
C、同組3個(gè)試件測(cè)值中，若出現(xiàn)最大值或最小值與中間值的差值超過(guò)中間值的15%，則該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效。
D、同組3個(gè)試件測(cè)值中，最大值或最小值只要有1個(gè)且僅有1個(gè)與中間值的差值超過(guò)中間值的15%，就要把最大值和最小值一并舍除。
A、邊長(zhǎng)100mm的C40級(jí)砼加荷速度取每秒5.0～8.0kN
B、邊長(zhǎng)150mm的C70級(jí)砼加荷速度取每秒18.0～22.5kN
C、邊長(zhǎng)200mm的C20級(jí)砼加荷速度取每秒12.0～20.0kN
D、邊長(zhǎng)200mm的C40級(jí)砼加荷速度取每秒20.0～32.0kN
A、＜C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒6.75～11.25kN
B、≥C30且＜C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒11.25～18.00kN
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒18.00～22.50kN
A、＜C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.3～0.5MPa
B、≥C30且＜C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.5～0.8MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.8～1.0MPa
D、強(qiáng)度等級(jí)越高，加荷速度應(yīng)越小
A、試件拆模時(shí)間
B、試件移入標(biāo)準(zhǔn)養(yǎng)護(hù)室時(shí)間
C、拌合物攪拌加水時(shí)間
D、拌合物拌制完成時(shí)間
最新試題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門(mén)子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。