A、JYM12-13
B、JYM13-12
C、JYM12.7-12
D、JYM12-12.7
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A、L
B、S
C、J
D、M
A、夾片式
B、支承式
C、錐塞式
D、握裹式
A、實(shí)測(cè)極限抗拉強(qiáng)度
B、實(shí)測(cè)極限抗拉強(qiáng)度的80%
C、抗拉強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)值
D、抗拉強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)值的80%
A、60分鐘
B、120分鐘
C、240分鐘
D、480分鐘
A、10%,30%,50%,70%
B、20%,40%,60%,80%
C、10%,50%,70%,85%
D、30%,50%,70%,90%
最新試題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
下列是晶體的是()。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
可用作硅片的研磨材料是()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()