最新試題
說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。
題型:問答題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力,可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施?
題型:問答題
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),求M4的漏電流。
題型:問答題
把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊,轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程,稱作()。生長后的單晶硅被稱為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
晶體管的名字取自于()和()兩詞。
題型:多項(xiàng)選擇題
試述兩種傳輸線電感,比較其優(yōu)缺點(diǎn)。
題型:問答題
試用電導(dǎo)率為102/(Ω·cm),厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻,設(shè)電阻寬1μm,求其長。
題型:問答題
比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路,試分析兩者存在差異的原因。
題型:問答題
半導(dǎo)體工藝技術(shù)中,器件互連材料通常包括()等。
題型:多項(xiàng)選擇題
目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些?
題型:問答題