問答題簡(jiǎn)述沉積多晶硅采用什么CVD工具？摻雜的Poly－Si的主要用途。寫出摻雜的Poly－Si做柵電極的6個(gè)原因。
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比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。
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為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？
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MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？
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