填空題SiO2-Si界面的雜質(zhì)分凝:()過(guò)程中,()在兩種材料中重新分布,()吸引受主雜質(zhì)(B)、排斥施主雜質(zhì)(P、As)。
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1.問(wèn)答題簡(jiǎn)述摻氯氧化工藝。
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3.問(wèn)答題簡(jiǎn)述硅熱氧化過(guò)程中有哪些階段?
最新試題
從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過(guò)()等步驟。
題型:多項(xiàng)選擇題
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)?
題型:?jiǎn)柎痤}
試述兩種傳輸線電感,比較其優(yōu)缺點(diǎn)。
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規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么?
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版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么?
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什么是MOS器件的體效應(yīng)?
題型:?jiǎn)柎痤}
設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路,寫(xiě)出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語(yǔ)句并作差模電流-電壓特性分析。
題型:?jiǎn)柎痤}
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線,請(qǐng)畫(huà)出Id2的大致變化,并說(shuō)明Id1和Id2有什么不同,并解釋不同的主要原因。
題型:?jiǎn)柎痤}
編寫(xiě)DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算柵極電容。
題型:?jiǎn)柎痤}