問(wèn)答題簡(jiǎn)述什么是硅熱氧化以及氧化的工藝目的、氧化方式及其化學(xué)反應(yīng)式。
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最新試題
硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來(lái)源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。
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在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫(huà)出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。
題型：?jiǎn)柎痤}
集成電路電阻可以通過(guò)（）產(chǎn)生。
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MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？
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設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫(xiě)出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語(yǔ)句并作差模電流-電壓特性分析。
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編寫(xiě)DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？
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MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？
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利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
題型：?jiǎn)柎痤}
材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。
題型：?jiǎn)柎痤}