A、硫
B、硅
C、錳
D、銅
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你可能感興趣的試題
A、1100100
B、1001101
C、1100001
D、1110101
A、中央處理器
B、存儲(chǔ)器
C、存儲(chǔ)程序
D、以上都不對(duì)
A、數(shù)據(jù)
B、波形
C、信號(hào)
D、模擬信號(hào)
A、變換
B、回放
C、處理
D、抑制
A、10%
B、20%
C、5%
D、30%
最新試題
60kg/m與75kg/m軌頭寬度極限偏差為()
探頭移動(dòng)過程中同時(shí)作()轉(zhuǎn)動(dòng),稱為擺動(dòng)掃查。
核對(duì)軌頭剝離層下的傷損一般采用()。
垂直法探傷時(shí),對(duì)要求不太高的工件常采用局部法進(jìn)行掃查,局部法掃查一般分為()。
在探傷中選用較高的頻率,將會(huì)使得()因而發(fā)現(xiàn)小缺陷的能力強(qiáng),可提高對(duì)缺陷的定位精度。
探傷中探頭晶片尺寸增加,相應(yīng)的()對(duì)探傷有利。
由于各種試件的結(jié)構(gòu)、質(zhì)量要求不同,可能缺陷的()不一樣,因而探測(cè)面可能是試件的所有面,也可能是其中的幾個(gè)面,甚至只有一個(gè)可探測(cè)面。
當(dāng)脫碳層或顯微組織初檢結(jié)果不合格時(shí),應(yīng)在()兩支鋼軌上取樣復(fù)驗(yàn),如兩個(gè)復(fù)驗(yàn)樣的復(fù)驗(yàn)結(jié)果都符合要求,則該批其余的鋼軌可以驗(yàn)收。
探傷工藝規(guī)程編制應(yīng)對(duì)受檢工件的()做好記錄。
垂直法局部掃查即探頭在整個(gè)面上按規(guī)定,并事先劃出的線上移動(dòng),相鄰掃查線的間距往往()探頭直徑。