封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

消除鳥嘴效應的方法有（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產生二氧化硅層，厚度約為（）。

CMP的設備構成包括（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。