多項(xiàng)選擇題集成電路的電學(xué)測(cè)試包括功能測(cè)試和參數(shù)測(cè)試，以下屬于電學(xué)測(cè)試的為（）。

A.電流
B.電場(chǎng)強(qiáng)度
C.電壓
D.阻抗


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1.單項(xiàng)選擇題以下電子產(chǎn)品的測(cè)試方法，屬于破壞性測(cè)試的為（）。

A.選擇性剝層
B.透射電鏡掃描
C.X射線檢測(cè)
D.紅外光譜分析

2.單項(xiàng)選擇題要觀察半導(dǎo)體器件上的針眼和小孔、鈍化層裂縫等缺陷，應(yīng)使用（）。

A.掃描電子顯微鏡
B.光學(xué)顯微鏡
C.透射電子顯微鏡
D.原子力顯微鏡

3.多項(xiàng)選擇題芯片發(fā)生失效的機(jī)理包括（）。

A.疲勞
B.磨損
C.過(guò)壓力
D.過(guò)應(yīng)力

4.單項(xiàng)選擇題引起芯片翹曲的原因，是由于施加到元器件上的力（）。

A.過(guò)小
B.消失
C.不平衡
D.過(guò)大

5.單項(xiàng)選擇題下列封裝形式，最容易發(fā)生底座偏移的為（）。

A.薄型小尺寸封裝
B.球柵陣列封裝
C.單列直插式封裝
D.雙列直插式封裝