單項(xiàng)選擇題以下電子產(chǎn)品的測試方法,屬于破壞性測試的為()。
A.選擇性剝層
B.透射電鏡掃描
C.X射線檢測
D.紅外光譜分析
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1.單項(xiàng)選擇題要觀察半導(dǎo)體器件上的針眼和小孔、鈍化層裂縫等缺陷,應(yīng)使用()。
A.掃描電子顯微鏡
B.光學(xué)顯微鏡
C.透射電子顯微鏡
D.原子力顯微鏡
2.多項(xiàng)選擇題芯片發(fā)生失效的機(jī)理包括()。
A.疲勞
B.磨損
C.過壓力
D.過應(yīng)力
3.單項(xiàng)選擇題引起芯片翹曲的原因,是由于施加到元器件上的力()。
A.過小
B.消失
C.不平衡
D.過大
4.單項(xiàng)選擇題下列封裝形式,最容易發(fā)生底座偏移的為()。
A.薄型小尺寸封裝
B.球柵陣列封裝
C.單列直插式封裝
D.雙列直插式封裝
5.單項(xiàng)選擇題材料的體積、面積或長度隨溫度的變化而變化,這是材料的()。
A.熱膨脹系數(shù)
B.熱失配系數(shù)
C.熱應(yīng)力系數(shù)
D.熱應(yīng)變系數(shù)
最新試題
封裝工藝中,銀漿固化的溫度為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)?()
題型:單項(xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種?()
題型:單項(xiàng)選擇題
摻雜后,退火的目的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
光刻工藝的特點(diǎn)包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題