多項(xiàng)選擇題芯片發(fā)生失效的機(jī)理包括()。
A.疲勞
B.磨損
C.過(guò)壓力
D.過(guò)應(yīng)力
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1.單項(xiàng)選擇題引起芯片翹曲的原因,是由于施加到元器件上的力()。
A.過(guò)小
B.消失
C.不平衡
D.過(guò)大
2.單項(xiàng)選擇題下列封裝形式,最容易發(fā)生底座偏移的為()。
A.薄型小尺寸封裝
B.球柵陣列封裝
C.單列直插式封裝
D.雙列直插式封裝
3.單項(xiàng)選擇題材料的體積、面積或長(zhǎng)度隨溫度的變化而變化,這是材料的()。
A.熱膨脹系數(shù)
B.熱失配系數(shù)
C.熱應(yīng)力系數(shù)
D.熱應(yīng)變系數(shù)
4.單項(xiàng)選擇題潮氣滲透可用以下哪種方法測(cè)定?()
A.稱重池
B.隔離池
C.吸收因子
D.膨脹系數(shù)
5.多項(xiàng)選擇題多芯片組件封裝的基板材料可以為()。
A.玻璃
B.金屬
C.高分子材料
D.陶瓷
最新試題
CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子?()
題型:多項(xiàng)選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
新的平坦化方法有哪幾個(gè)?()
題型:多項(xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分,一是導(dǎo)體顆粒,二是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
封裝工藝中,銀漿固化的溫度為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
摻雜后,退火的目的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題