光刻工藝的特點包括（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。