摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）