光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。