鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

可用作硅片的研磨材料是（）