只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）

直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）