摻雜后退火時間一般在（）。

化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

CMP的設備構成包括（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

光刻工藝的設備核心是（）。