圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

從設計的觀點出發(fā)，版圖設計規(guī)則應包括哪些部分？

從天然硅中獲得達到生產半導體器件所需純度的SGS要經過（）等步驟。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

集成電路電阻可以通過（）產生。

由于襯底材料的緣故會自動產生電容，這種電容稱為（）。

集成電容主要有幾種結構？