硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。