圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

在晶體材料中，對(duì)于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？