BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫(xiě)出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語(yǔ)句并作差模電流-電壓特性分析。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類(lèi)（）。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？

把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過(guò)程，稱作（）。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為（）。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

編寫(xiě)DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？