利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

20世紀上半葉對半導體產業(yè)量展做出貢獻的4種不同產業(yè)主要是（）。

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產生的（）材料等。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據是什么？

從天然硅中獲得達到生產半導體器件所需純度的SGS要經過（）等步驟。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

由硅片生產的半導體產品，又被稱為（）。

把半導體級硅的多晶硅塊，轉換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

BiCMOS技術就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結構的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結構的高電流驅動能力。