單項選擇題在距離1米處的劑量率為67.5R/h的50Ci鈷60射源（50x1.35=67.5）經(jīng)過2個半衰期后將衰減為（）Ci。
A、25
B、12.5
C、6.25
D、3.125
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1.單項選擇題鈷60發(fā)射路徑上遇一1/2時厚鉛塊，劑量率會降低（）。
A、1/3
B、1/4
C、1/2
D、3/4
2.單項選擇題下列各項中不影響射線照片細(xì)節(jié)影像不清晰度的是（）。
A、射線源尺寸
B、射線源到膠片距離
C、X射線能量
D、X射線強(qiáng)度
3.單項選擇題曝光過程中，試樣或膠片偶然移動或使用焦距變?。ǎ?/a>
A、產(chǎn)生射線照相底片對比度低
B、不可能檢出大缺陷
C、產(chǎn)生射線照相底片不清晰
D、產(chǎn)生發(fā)灰的射線照片
4.單項選擇題未曝光膠片儲存的最佳濕度要求是（）。
A、35%～-60%之間
B、60%～90%之間
C、50%～75%之間
D、50%～60%之間
5.單項選擇題膠片與鉛箔增感屏一起放在暗盒中的時間過長，又曾處在高溫或高濕環(huán)境中，膠片可能（）。
A、產(chǎn)生白色斑點
B、出現(xiàn)樹枝狀的輕微條痕
C、發(fā)生灰霧
D、藥膜脫落
最新試題
渦流檢測中的對比試樣的（）和材質(zhì)相對被檢測產(chǎn)品必須具有代表性。
題型：單項選擇題
渦流探傷中平底盲孔缺陷對于管壁的（）具有較好的代表性，因此在在役管材的渦流檢測中較多采用。
題型：單項選擇題
各類渦流檢測儀器的（）和結(jié)構(gòu)各不相同。
題型：單項選擇題
渦流檢測線圈的互感線圈一般由（）構(gòu)成。
題型：單項選擇題
渦流檢測線圈是在被檢測導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵產(chǎn)生（）
題型：單項選擇題
對檢測儀的時間基線進(jìn)行校正后，缺陷的埋藏深度可從熒光屏的（）上讀出。
題型：單項選擇題
采用以（）為橫坐標(biāo)，以平底孔直徑標(biāo)注各當(dāng)量曲線作成實用AVG曲線。
題型：單項選擇題
直接射向缺陷的波就是（）
題型：單項選擇題
對于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動，即可獲得缺陷的（）所在的位置，從而定出缺陷的平面位置。
題型：單項選擇題
（）件對不同類型的檢測對象和要求，采用的方式各有不同。
題型：單項選擇題