表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

硅片拋光在原理上不可分為（）

載流子的擴(kuò)散運動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）