單項(xiàng)選擇題通常所說的玻璃池窯“四穩(wěn)”不包括()
A、溫度
B、泡界線
C、壓力
D、氣氛
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1.單項(xiàng)選擇題淬火和退火同一玻璃的密度相比較,()
A、前者大于后者
B、相同
C、前者小于后者
D、無法判斷
2.單項(xiàng)選擇題下列氧化物中,加入過量會使玻璃的料性變短的是()
A、SiO2
B、CaO
C、MgO
D、Na2O
3.單項(xiàng)選擇題扎哈里阿森(Zachariasen)提出的形成氧化物玻璃的規(guī)則中,氧多面體應(yīng)當(dāng)相互()
A.共角
B.共棱
C.共面
D.不相聯(lián)
4.單項(xiàng)選擇題能夠單獨(dú)形成玻璃網(wǎng)絡(luò)形成體的單鍵能一般大于()
A、251kJ/mol
B、235kJ/mol
C、350kJ/mol
D、335kJ/mol
5.單項(xiàng)選擇題玻璃熔制的主要設(shè)備為()。
A、立波爾窯
B、倒燃窯
C、池窯
D、輥道窯
最新試題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項(xiàng)選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:單項(xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項(xiàng)選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項(xiàng)選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項(xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
題型:單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題