單項(xiàng)選擇題玻璃生產(chǎn)中長石的技術(shù)要求是：（）。
A、Al2O3>16%，F(xiàn)e2O3<0.3%
B、Al2O3>16%，F(xiàn)e2O3<0.4%
C、Al2O3>20%，F(xiàn)e2O3<0.4%
D、Al2O3>20%，F(xiàn)e2O3<0.3%
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1.單項(xiàng)選擇題滑石的化學(xué)通式為：（）。
A、BaCO3·MgCO3
B、BaCO3·Al2O3
C、3MgO·4SiO2·H2O
D、Al2O3·10H2O
2.單項(xiàng)選擇題CaCO3·MgCO3是下列哪種礦物的分子式（）。
A、方石英
B、白云石
C、菱鎂礦
D、方解石
3.單項(xiàng)選擇題黏土中混入的硫酸鹽主要是（）。
A、方解石
B、赤鐵礦
C、石膏
D、菱鎂礦
4.單項(xiàng)選擇題黏土中的氧化鎂含量應(yīng)小于（）。
A、3.0%
B、4.0%
C、2.0%
D、1.0%
5.單項(xiàng)選擇題在硅酸鹽水泥生產(chǎn)中，為便于配料又不摻硅質(zhì)校正原料，要求黏土質(zhì)原料的SiO2與Al2O3和Fe2O3之和之比最好為（）。
A、3.7-4.1
B、2.9-4.0
C、2.7-3.1
D、2.5-3.0
最新試題
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
題型：單項(xiàng)選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項(xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
題型：單項(xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項(xiàng)選擇題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題