單項選擇題CaCO3·MgCO3是下列哪種礦物的分子式（）。
A、方石英
B、白云石
C、菱鎂礦
D、方解石
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1.單項選擇題黏土中混入的硫酸鹽主要是（）。
A、方解石
B、赤鐵礦
C、石膏
D、菱鎂礦
2.單項選擇題黏土中的氧化鎂含量應(yīng)小于（）。
A、3.0%
B、4.0%
C、2.0%
D、1.0%
3.單項選擇題在硅酸鹽水泥生產(chǎn)中，為便于配料又不摻硅質(zhì)校正原料，要求黏土質(zhì)原料的SiO2與Al2O3和Fe2O3之和之比最好為（）。
A、3.7-4.1
B、2.9-4.0
C、2.7-3.1
D、2.5-3.0
4.單項選擇題按照[SiO4]4-的連接方式，石英有三種存在狀態(tài)，870℃以下穩(wěn)定存在的是（）
A、方石英
B、單斜石英
C、石英
D、鱗石英
5.單項選擇題在鈉—鈣—硅酸鹽玻璃中，下列那項不是SiO2的作用？（）
A、降低熱膨脹系數(shù)
B、提高熱穩(wěn)定性
C、提高機械強度
D、補償坯體收縮作用
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題