單項(xiàng)選擇題鈣質(zhì)原料主要提供材料組成所需的（）。
A、CaCO3
B、CaO
C、SiO2
D、Al2O3
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1.單項(xiàng)選擇題無(wú)機(jī)非金屬材料常使用的原料方解石的主要成分是（）。
A、CaCO3
B、CaO
C、SiO2
D、Al2O3
2.單項(xiàng)選擇題在無(wú)機(jī)非金屬材料的生產(chǎn)過(guò)程中，玻璃不需要進(jìn)行的一個(gè)環(huán)節(jié)是（）。
A、粉體制備
B、原料的破碎
C、成型
D、高溫?zé)崽幚?/p>
3.單項(xiàng)選擇題目前各國(guó)的水泥生產(chǎn)均以（）生產(chǎn)技術(shù)作為優(yōu)先發(fā)展對(duì)象。
A、干法中空窯
B、立波爾窯
C、窯外分解窯
D、立筒預(yù)熱器窯
4.單項(xiàng)選擇題水泥原料經(jīng)烘干、配料、粉碎制成生料粉，然后喂到窯內(nèi)煅燒成熟料的方法稱為（）。
A、濕法
B、干法
C、半干法
D、半濕法
5.單項(xiàng)選擇題水泥的工藝流程簡(jiǎn)單的說(shuō)就是（）。
A、兩磨一燒
B、一磨兩燒
C、兩磨兩燒
D、三磨一燒
最新試題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題