對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

下列是晶體的是（）。 

可用作硅片的研磨材料是（）

PN結(jié)的基本特性是（）

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。