下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法