下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。