為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？

20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？