光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

常壓的硅外延方法有（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。