最新試題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻工藝的特點(diǎn)包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
芯片粘接的工藝過(guò)程包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查,是否有出現(xiàn)廢品?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分,一是導(dǎo)體顆粒,二是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
題型:判斷題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
互連工藝中AL的制備可選用()。
題型:多項(xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層,開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題