A、拌合物應(yīng)分三層均勻地裝入筒內(nèi)
B、每層用搗棒插搗12次
C、插搗應(yīng)沿螺旋方向由中心向外進(jìn)行
D、當(dāng)振動(dòng)到透明圓盤的底面被水泥漿布滿的瞬間停止計(jì)時(shí)
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A、適用于骨料粒徑不大于40mm的砼拌合物稠度測(cè)定
B、適用于骨料粒徑大于40mm的砼拌合物稠度測(cè)定
C、適用于坍落度不小于220mm的砼拌合物稠度測(cè)定
D、適用于維勃稠度在5~30s之間的砼拌合物稠度測(cè)定
A、坍落度測(cè)量精確至1mm,坍落擴(kuò)展度測(cè)量精確至5mm
B、坍落度測(cè)量與坍落擴(kuò)展度測(cè)量均精確至1mm
C、坍落度試驗(yàn)結(jié)果表達(dá)修約至1mm,坍落擴(kuò)展度試驗(yàn)結(jié)果表達(dá)修約至5mm
D、坍落度與坍落擴(kuò)展度試驗(yàn)結(jié)果表達(dá)均修約至5mm
A、坍落度大于220mm的砼拌合物,宜用坍落擴(kuò)展度法測(cè)定其稠度
B、用鋼尺測(cè)量砼擴(kuò)展后最終的最大直徑,作為坍落擴(kuò)展度值
C、用鋼尺測(cè)量砼擴(kuò)展后最終的最小直徑,作為坍落擴(kuò)展度值
D、擴(kuò)展后的最大直徑與最小直徑之差超過(guò)50mm時(shí),試驗(yàn)無(wú)效
A、提筒后,測(cè)量筒高與坍落后試體最高點(diǎn)之間的高度差,作為坍落度值
B、提筒后,測(cè)量筒高與坍落后試體最低點(diǎn)之間的高度差,作為坍落度值
C、提筒后,測(cè)量筒高與坍落后試體最高點(diǎn)和最低點(diǎn)之間的高度差,取其平均值作為坍落度值
D、提筒后,應(yīng)在150s后測(cè)量坍落度值
A.試驗(yàn)前應(yīng)潤(rùn)濕坍落度筒及底板
B、拌合物應(yīng)分二層均勻地裝入坍落度筒內(nèi)
C、每層可用直徑為Φ25mm的振動(dòng)棒振搗密實(shí)
D、頂層插搗完后,刮去多余的砼,并用抹刀抹平
最新試題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
下列是晶體的是()。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
硅片拋光在原理上不可分為()