A、坍落度測量精確至1mm,坍落擴展度測量精確至5mm
B、坍落度測量與坍落擴展度測量均精確至1mm
C、坍落度試驗結(jié)果表達(dá)修約至1mm,坍落擴展度試驗結(jié)果表達(dá)修約至5mm
D、坍落度與坍落擴展度試驗結(jié)果表達(dá)均修約至5mm
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A、坍落度大于220mm的砼拌合物,宜用坍落擴展度法測定其稠度
B、用鋼尺測量砼擴展后最終的最大直徑,作為坍落擴展度值
C、用鋼尺測量砼擴展后最終的最小直徑,作為坍落擴展度值
D、擴展后的最大直徑與最小直徑之差超過50mm時,試驗無效
A、提筒后,測量筒高與坍落后試體最高點之間的高度差,作為坍落度值
B、提筒后,測量筒高與坍落后試體最低點之間的高度差,作為坍落度值
C、提筒后,測量筒高與坍落后試體最高點和最低點之間的高度差,取其平均值作為坍落度值
D、提筒后,應(yīng)在150s后測量坍落度值
A.試驗前應(yīng)潤濕坍落度筒及底板
B、拌合物應(yīng)分二層均勻地裝入坍落度筒內(nèi)
C、每層可用直徑為Φ25mm的振動棒振搗密實
D、頂層插搗完后,刮去多余的砼,并用抹刀抹平
A、粗骨料在中央集堆
B、大量水泥漿從邊緣析出
C、坍落體不停向外蠕動擴展
D、A、B、C選項都對
A、插搗不均勻
B、提筒時歪斜
C、底板干濕不勻
D、底板傾斜
最新試題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
硅片拋光在原理上不可分為()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
PN結(jié)的基本特性是()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()