A、插搗不均勻
B、提筒時歪斜
C、底板干濕不勻
D、底板傾斜
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B、坍落擴展度法
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C、黏聚性
D、保水性
A、稠度
B、凝結時間
C、碳化深度
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A、同一檢驗批只進行一組試驗時,應將試驗結果作為檢驗結果
B、同一檢驗批進行了一組以上試驗時,應取所有組試驗結果中的最小值作為檢驗結果
C、同一檢驗批進行了一組以上試驗時,應取所有組試驗結果中的最大值作為檢驗結果
D、同一檢驗批進行了一組以上試驗時,應取所有組試驗結果中的平均值作為檢驗結果
A、同一檢驗批只進行一組試驗時,應將試驗結果作為檢驗結果
B、同一檢驗批進行了一組以上試驗時,應取所有組試驗結果中的最小值作為檢驗結果
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鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
PN結的基本特性是()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();