單項(xiàng)選擇題采用有頂壓的夾片式錨具時(shí)，錨具變形和預(yù)應(yīng)力筋內(nèi)縮值的限值為（）
A、1mm
B、3mm
C、5mm
D、7mm
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1.單項(xiàng)選擇題用于承受錨具傳來(lái)的預(yù)加力并傳遞給混凝土的部件叫（）
A、錨環(huán)
B、夾片
C、錨固節(jié)點(diǎn)
D、錨墊板
2.單項(xiàng)選擇題張拉設(shè)備應(yīng)定期標(biāo)定，標(biāo)定期不大于（）
A、兩個(gè)月
B、三個(gè)月
C、半年
D、一年
3.單項(xiàng)選擇題先張法放松夾頭的條件是灌漿的混凝土應(yīng)力達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)的（）
A、60%
B、70%
C、75%
D、80%
4.單項(xiàng)選擇題用于固定12根直徑12.7的擠壓式固定端錨具，其代號(hào)為（）
A、JYM12-13
B、JYM13-12
C、JYM12.7-12
D、JYM12-12.7
5.單項(xiàng)選擇題連接器的代號(hào)為（）
A、L
B、S
C、J
D、M
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CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題