單項選擇題張拉設(shè)備應(yīng)定期標(biāo)定,標(biāo)定期不大于()
A、兩個月
B、三個月
C、半年
D、一年
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1.單項選擇題先張法放松夾頭的條件是灌漿的混凝土應(yīng)力達到標(biāo)準(zhǔn)的()
A、60%
B、70%
C、75%
D、80%
2.單項選擇題用于固定12根直徑12.7的擠壓式固定端錨具,其代號為()
A、JYM12-13
B、JYM13-12
C、JYM12.7-12
D、JYM12-12.7
3.單項選擇題連接器的代號為()
A、L
B、S
C、J
D、M
4.單項選擇題壓花機是哪類錨具使用的專用機具()
A、夾片式
B、支承式
C、錐塞式
D、握裹式
5.單項選擇題內(nèi)縮量測定時使用的張拉應(yīng)力應(yīng)達到()
A、實測極限抗拉強度
B、實測極限抗拉強度的80%
C、抗拉強度標(biāo)準(zhǔn)值
D、抗拉強度標(biāo)準(zhǔn)值的80%
最新試題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是()
題型:單項選擇題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
題型:單項選擇題