編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

設(shè)計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。