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集成電路工藝原理問(wèn)答題每日一練(2020.06.02)
來(lái)源:考試資料網(wǎng)
1.問(wèn)答題
硅錠直徑從20世紀(jì)50年代初期的不到25mm增加到現(xiàn)在的300mm甚至更大,其原因是什么?
參考答案:
(1)更大直徑硅片有更大的表面積做芯片,能夠減少硅片的浪費(fèi)。
(2)每個(gè)硅片上有更多的芯片,每塊芯片的加工和處...
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2.問(wèn)答題
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么?
參考答案:
DRC:檢查版圖中同層、不同層間圖形的線寬、間距是否滿足工藝的最小尺寸要求。
ERC:檢查版圖中是否存在開路、短...
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3.問(wèn)答題
什么是離子注入時(shí)的溝道效應(yīng)?列舉出三種控制溝道效應(yīng)的方法?
參考答案:
溝道效應(yīng):?jiǎn)尉Ч柙訛殚L(zhǎng)程有序排列,當(dāng)注入離子未與硅原子碰撞減速,而是穿透了晶格間隙時(shí),就發(fā)生了溝道效應(yīng),使預(yù)期的設(shè)計(jì)范...
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4.問(wèn)答題
試畫出MOS器件跨導(dǎo)與源漏電壓的函數(shù)曲線。
參考答案:
5.問(wèn)答題
IC制造中常采用什么方法形成金屬層?它的作用是什么?
參考答案:
金屬層的形成主要采用物理汽相沉積(Pysical Vapor Deposition,簡(jiǎn)稱PVD)技術(shù)...
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