集成電路工藝原理章節(jié)練習(xí)(2019.11.24)

來源：考試資料網(wǎng)

1.名詞解釋外延

在單晶襯底上按襯底晶向生長一層新的單晶薄膜的工藝技術(shù)。

2.填空題CZ直拉法的目的是（）。

參考答案：實(shí)現(xiàn)均勻摻雜的同時(shí)并且復(fù)制仔晶的結(jié)構(gòu)，得到合適的硅錠直徑并且限制雜質(zhì)引入到硅中

3.填空題離子注入在襯底中產(chǎn)生的損傷主要有（）等三種。

參考答案：點(diǎn)缺陷、非晶區(qū)、非晶層

4.名詞解釋通孔

是指穿過各種介質(zhì)從某一金屬到毗鄰的另一金屬層形成電通路的開口。

5.判斷題蒸發(fā)鍍膜中電阻加熱源可分為直接加熱源和間接加熱源，其中間接加熱源是把待蒸發(fā)材料放入坩堝中，對(duì)坩堝進(jìn)行間接加熱。

6.判斷題在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界第一種類型的CVD是APCVD。

7.填空題集成電路制作工藝大體上可以分成三類，包括（）、（）、（）。

參考答案：圖形轉(zhuǎn)化技術(shù)；薄膜制備技術(shù)；摻雜技術(shù)

8.判斷題多晶硅柵的寬度通常是整個(gè)硅片上最關(guān)鍵的CD線寬。

9.填空題提拉出合格的單晶硅棒后，還要經(jīng)過（）、（）、（）等工序過程方可制備出符合集成電路制造要求的硅襯底片。

參考答案：切片；研磨；拋光

10.問答題載帶自動(dòng)焊的分類及結(jié)構(gòu)特點(diǎn)？

參考答案：TAB按其結(jié)構(gòu)和形狀可分為
Cu箔單層帶：
Cu的厚度為35-70um，
Cu-PI雙層帶...