高溫下，硅片與高純水蒸氣反應(yīng)生成SiO2的過(guò)程。
是指穿過(guò)各種介質(zhì)從某一金屬到毗鄰的另一金屬層形成電通路的開(kāi)口。
指由導(dǎo)電材料，如鋁、多晶硅或銅制的連線將電信號(hào)傳輸?shù)叫酒牟煌糠帧Ｒ脖挥米鲂酒掀骷驼麄€(gè)封裝之間普通的金屬連接。
外延層與沉底的材料相同。
使角膜開(kāi)始溶解所需最小曝光量。
